Содержание
Введение
Глава 1 Теоретические расчеты ,3iюного взаимодействия
для различных кристаллических структур
Глава 2 Методы расчета, использованные в работе
2.1. Использование самосогласованных потенциалов и приближения полного многократного рассеяния в расчетах плотностей электронных состояний программа 8
2.2. Новая версия метода присоединенных плоских волн локальные орбитали , реализованная в программе i 2.
Глава 3 Взаимодействие в сульфидах переходных металлов
Глава 4 Особенности химической связи в оксидах и сульфидах благородных металлов , Си, 2 и i., а также фосфидах переходных металлов 32 и 32 и их твердых растворах. Влияние ближайшего окружения меди и симметрии соединения на характер химсвязи
4.1. Особенности химической связи в оксидах и сульфидах благородных металлов СиО, Си, 2 и СиБ, а также фосфидах переходных металлов 2п3Р2 и Сб3Р2 и их твердых
растворах
4.2. Влияние ближайшего окружения меди и симметрии соединения на характер химсвязи
Глава 5 Электронноэнергетическая структура полупроводниковых
сульфидов АбА, АбБ, 2 и Т
Глава 6 Рентгеновские спектры и особенности электронноэнергетической структуры ТаС, ТаЫ, НАС, ТаСо.зКУз и .5.5.
Результаты и выводы, полученные в работе.
Приложения.
Список литературы
- Київ+380960830922