ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Положения, выносимые на гащиту .
ГЛАВА I. Литературный обзор
1.1. Атомы редкоземельных элементов в кристаллическом окружении
1.1.1. Выбор метода расчета .
1.1.2. Основные положения теории кристаллического
поля. Приближение слабого поля
1.1.3. Формирование потенциала кристаллического
.поля. II
1.1.4. Кристаллическое поле кубической симметрии
1.1.5. Ионы в Я состоянии.
1.1.6. Расчет матричных элементов кристаллического потенциала. Эквивалентные операторы
1.2. Сверхтонкие взаимодействия в редкоземельных
центрах кубической симметрии
1.2.1. Магнитное сверхтонкое взаимодействие .
1.2.2. Хартрифоковские расчеты сверхтонкой постоянной
1.2.3. Влияние эффектов перекрывания и ковалентности
1.3. Спинрешеточная релаксация в магниторазбавленных кристаллах при низких температурах
1.3.1. Спиновая подсистема в поле фононов .
1.3.2. Механизмы спинрешеточного взаимодействия
1.3.3. Релаксация через вибронные состояния кристалла. Кроссрелаксация
1.3.4. Релаксация в кристаллах с существенной
ковалентностью связи
ГЛАВА 2. Предварительные исследования образцов .
2.1. Описание экспериментальных установок.
2.2. Арсенвд галлия.
2.3. Фосфид галлия
2.4. Фосфид индия.
2.4.1. Иттербий .
2.4.2. Эрбий .
2.4.3. Гадолиний
2.4.4. Европий .
2.4.5. Неодим.
2.4.6. Церий
2.5. Выводы.
ГЛАВА 3. Электронные состояния центра иттербия .
3.1. Экспериментальные результаты
3.2. Обсуждение
3.3. Выводы
ГЛАВА 4. Электронная структура редкоземельных
центров в состоянии
4.1. Электронные состояния центра гадолиния .
4.1.1. Экспериментальные результаты .
4.1.2. Обсуждение .
4.1.3. Выводы.1X
4.2. Электронные состояния центра европия .
4.2.1. Экспериментальные результаты .
4.2.2. Обсуждение .
4.2.3. Выводы .
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922