ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА ПЕРВАЯ.ОБЗОР ЛИТЕРАТУШ.
1.Источники неоднородности границы раздела
1.1.1.Неоднородность по работе выхода
металла
IЛ .2.Неоднородность поверхности, полупроводника
1.13.Реакция и взаимодиффузия
1.1.4.Периферийная неоднородность.
2.Экспериментальные факты,доказывающие
несостоятельность однородной модели.
1.2.1.Однородная модель контакта металла с полупроводником.
1.2.2.Дисперсия высоты барьера
1.2.3.Трудность предсказания поведения контакта.
1.2.4.Корреляция между высотой барьера ДШ
и работой выхода металла. .
1.2.5.Зависимость высоты барьера ДШ
от площади КМП. .
1.2.6.Температурная зависимость ВАХ ДШ
1.2.7.Разновидности ВАХ в прямом направлении
1.2.8.Разновидности ВАХ в обратном направлении
1.2.9.Зависимость напряжения пробоя от
площади КМП .
ГЛАВА ВТОРАЯ.ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНвОШп ДШ
И ЗХСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА
1.Технология изготовления М8Л п. ДШ.
2.Экспериментальная методика .
3.Электрическая схема и установка зонда
ГЛАВА ТРЕТЬЯ. ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ НА
СВОЙСТВА М КБОУМ п ДИОДОВ ШЭТТКИ.
1.Влияние площади НМЛ на свойства
Ж лпв дш.
2.Влияние толщины плнки алюминия Сд
на свойства ЛЗЛ аЯ диодов Шоттки
ГЛАВА ЧЕТВРТАЯ.ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ
НА СВОЙСТВА ДИОДОВ ШЭТТКИ.
1.Влияние одноосного давления на свойства
ЖЛп8 диодов Шоттки
2.Температурная зависимость ВАХ
М вЖП 6V диодов Шоттки.
3.Влияние термоотжига на свойства
М 1Жл8г диодов Шоттки.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.III
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922