- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
105
Артикул:
136579 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование эффективной вязкости реальной магнитной жидкости
- Многоволновая теория дифракции быстрых электронов в кристаллах
- Взаимосвязь электрических и магнитных свойств в сильно коррелированных электронных системах оксидов и халькогенидов переходных металлов.
- Защита конструкционных перлитных сталей от коррозии на основе поверхностного оксидирования
- Спектроскопия основного и возбужденного состояний ионов переходных элементов в кристаллах для твердотельных лазеров
- Наноструктуры в двумерных электронных системах
- Стохастическое туннелирование в барьерах со слабым структурным беспорядком
- Кинетика доменных границ в одноосных сегнетоэлектриках
- Особенности дрейфа электронно-дырочной плазмы в твердотельных магниточувствительных элементах
- Самоорганизация и упорядочение в оксидных и силикатных системах