- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
105
Артикул:
136579 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Особенности люминесценции галогенидосеребряных эмульсий с фотографически активными добавками
- Фазові перетворення в політипах халькогенідних сегнетоелектриків-напівпровідників з неспівмірними фазами
- Теория нелинейных кинетических явлений в полупроводниках со сложной зонной структурой
- Электронная энергетическая структура некоторых полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов
- О роли силового оператора в теории высокотемпературных сверхпроводников с сильными корреляциями
- Особенности сверхпроводимости в окисной системе BaPb 1-x Bi x O 3
- Образование и кинетика аннигиляции атомов позитрония в молекулярных жидкостях
- Изучение взаимодействия дефектов в тройных твердых растворах переходных металлов методом неупругого рассеяния нейтронов
- Спектроскопические проявления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых гетероструктурах A III B V с пониженной размерностью
- Рентгенографический анализ кристаллических структур и их несовершенств при неразрешающихся дифракционных мультиплетах