Нестационарная фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней

Содержание
Введение
1 Фотоиндуцированные явления в широкозонных полупроводниках
1.1 Динамика фотопроводимости в полупроводниках с мелкими ловушечными уровнями
1.2 Запись решеток объемного заряда в фоторефрактивных
кристаллах.
1.3 Эффект нестационарной фотоЭДС
1.4 Гомодинное детектирование фазомодулированиого света
V
2 Методика экспериментов и физические свойства кристаллов В1Т1О 2, СаАя
2.1 Методика экспериментальных исследований.
2.2 Физические свойства исследуемых кристаллов и приготовление образцов.
3 Нестационарная фотоЭДС в кристаллах со сложной структурой локальных уровней
3.1 Двухуровневая модель фотопроводника и методика расчета фототока.
3.2 Эффект нестационарной фотоЭДС в отсутствие внешнего электрического поля
3.3 Нестационарная фотоЭДС в фоторефрактивных крис
таллах ВЬгЗЮго и ВигТЮго выращенных в атмосфере аргона.
3.4 Нестационарная фотоЭДС в широкозонных полупроводниках, помещенных во внешнее электрическое поле .
3.5 Температурная зависимость нестационарной фотоЭДС и времени релаксации фотопроводимости в фоторефрактивном кристалле ВЦгЗЮэд выращенном в атмосфере аргона.
4 Нестационарный фототок в кристалле впвг
4.1 Экспериментальные результаты.
4.2 Теоретический анализ.
5 Адаптивные фотоприемники на основе эффекта нестационарной фотоЭДС
5.1 Измерение ультразвуковых колебаний пьезоэлектрических преобразователей
5.2 Объемные и контактные токи в адаптивных фотоприемниках на основе эффекта нестационарной фотоЭДС Теория
5.3 Нестационарная фотоЭДС в адаптивных фотоприемни
ках на основе ваАэ
Заключение
Литература