Оглавление
Введение
Глава 1. Тонкая структура и спиновая динамика экситонных
состояний в полупроводниковых гетсроструктурах.Обзор литературы.
1.1 Теория тонкой структуры экситонов.
1.2 Экспериментальные методы исследования тонкой
структуры
1.3 Исследование состояний тонкой структуры квантовых
точек с помощью метода квантовых биений.
1.4 Заряженные квантовые точки.
Глава 2. Условия эксперимента.
2.1 Образец.
2.2 Экспериментальная установка и методы исследования.
Глава 3. Тонкая структура экситонных состояний.
3.1 Результаты экспериментов.
3.1.1 Зависимость от электрического смещения.
3.1.2 Зависимость от Стоксова сдвига.
3.1.3 Поляризационные характерне тки.
3.1.4 Зависимость осцилляций от величины и направления магнитного поля.
3.2 Модель тонкой сгруктуры. СпинГамильтониан.
3.3 Квантовые биения и тонкая структура.
3.3.1 Биения между светлыми и темными подуровнями
3.3.2 Расщепление светлого дублета.
3.4 Выводы
Глава 4. Спиновая динамика нейтральных и заряженных
1пР квантовых точек.
4.1 Квантовые биения. Амплитуда осцилляций.
4.2 Спиновая релаксация в нейтральных квантовых точках.
4.2.1 Затухание биений в линейной поляризации.
4.2.2 Кинетика степени циркулярной поляризации.
4.3 Спиновая релаксация в заряженных квантовых точках.
4.3.1 Релаксация в отсутствии магнитного поля.
4.3.2 Спиновая динамика заряженных точек в магнитном поле.
4.3.3 Влияние температуры на спиновую динамику.
4.4 Выводы
Заключение
Литература
- Київ+380960830922