ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И СТРУКТУРЫ
ДЛЯ ХИМИЧЕСКИХ И ГАЗОВЫХ СЕНСОРОВ обзор.
1.1. Электронные процессы в полупроводниковых гетероструктурах
и методы их исследования.
1.1.1. Физическая модель поверхности полупроводника и области пространственного заряда
1.1.2. Электронные свойства структур металлдиэлектрикполупроводиик
1.1.3. Основные понятия теории комплексной диэлектрической проницаемости
1.1.4. Механизмы сорбционной чувствительности полупроводниковых материалов и структур
1.2. Металлоксндные полупроводники
1.3. Газочувствительные структуры с гетеропереходами
1.3.1. МДП сенсоры с активным затвором
1.3.2. МДП сенсоры с активным диэлектриком
1.4. Выводы и постановка задачи исследований
ГЛАВА 2. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ПОРИСТЫМ КРЕМНИЕМ
В УСЛОВИЯХ СОРБЦИИ ПАРОВ ВОДЫ.
2.1. Пористый кремний новый материал сенсорики
2.2. Получение пористого кремния и методика эксперимента
2.3. ВЧ ВФХ сенсора влажности и кинетика сорбциидесорбции
паров воды
2.4. О возможном электролизе воды в сенсорах влажности
2.5. Основные результаты главы 2
ГЛАВА 3. МДП СТРУКТУРЫ С АМОРФНЫМ ТРИОКСИДОМ
ВОЛЬФРАМА В УСЛОВИЯХ СОРБЦИИ ПАРОВ ВОДЬГ
3.1. Получение и основные свойства аморфных пленок
триоксида вольфрама.
3.2. Частотные свойства аУОз в зависимости от относительной влажности.
3.3. ВЧ ВФХ МДП сенсора влажности и кинетика сорбциидесорбции паров воды.
3.4. О растекании заряда по гидратированному диэлектрику.
3.5. Основные результаты главы 3.
ГЛАВА 4. ФАЗО И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ ОКСИДИРОВАНИИ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ НА КРЕМНИИ.
4.1. Получение металл оксидных слоев на кремнии
4.2. ВЧ ВФХ и динамические ВАХ МОП структур с нестехиометрическими оксидами Озх, БпОгх, РОч
4.3. ВЧ ВФХ и динамические ВАХ МОП структур со стехиометрическими оксидами металлов
4.4. Основные результаты главы 4
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922