Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Обзор методов расчта глубоких центров в полупроводниках .
1.1. Основные методы расчта энергетического положения глубоких центров и волновых функций примесного электрона
1.2. Метод потенциала нулевого радиуса
Глава 2. Волновые функции глубоких примесных центров
в рпредставлении
2.1. Структура валентной зйы. обобщенной мо
дели Латтинжера . 4.
2.2. Метод построения волновых фуМсций глубоких примесных центров
2.3. Волновые функции глубоких центров симметрии Г8.
2.4. Волновые функции глубоких центров симметрии Тг,
2.5. Волновые функции сцентров в рпредставлении .
Глава 3. Оптические переходы в полупроводниках с глубокими уровнями
3.1. Метод расчта сечения фотоионизации .
3.2. Определение матрицы Фу . характеризующей состав состояния на центре
3.3. Расчт матричных элементов дипольных переходов между свободными зонными состояниями
в модели Латтинжера
3.4. Расчт сечения фотоионизации для переходов
Ьцентр валентная зона
3.5. Расчт сечения фотоионизации для переходов
Ь центр зона проводимости
3.6. Учт зарядового состояния центра после фотоионизации
3.7. Сечение фотоионизации сцентров . . Глава 4. Анализ полученных теоретических зависимостей
сечения фотоионизации глубоких центров. Сравнение с экспериментальными данными
4.1. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких примесных Ьцентров для переходов центр валентная зона .
4.2. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких цримесных Нцентров для переходов центр зона проводимости
4.3. Расчт абсолютных значений сечений фотоионизации глубоких Ь центров.
4.4. Установление типа симметрии глубокого центра и уточнение его оптической энергии ионизации по характеру спектральной зависимости коэффициента поглощения или фотопроводимости .
4.5. Анализ глубоких центров в СаАэ.
Заключение
Литература