СОДЕРЖАНИЕ
СОДЕРЖАНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА ПЕРВАЯ Литературный обзор.
1.1 Процессы зарядового обмена между атомной частицей и поверхностью
металла
1.1.1 Постановка задачи и ее теоретическое решение.
1.1.2 Основные процессы перезарядки
Резонансные переходы.
Нерезонансные переходы.
Ожс нейтрализация и Оже девозбуждение
1.1.3 Модель АндерсонаНьюнса
1.1.4 Способ задания матричных элементов.
1.1.5 Решение уравнения для заселенности атомного уровня.
1.1.6 Приближение широкой зоны.
1.1.7 Влияние параллельной поверхности составляющей скорости атомной
частицы на процесс перезарядки.
1.2 Применение численных методов для решения задачи зарядового обмена
1.2.1 САМ.
Модель.
Метод решения
1.2.2 x i
1.2.3 Метод распространения волновых пакетов .
1.3 Модельные потенциалы.
1.3.1 Модель свободных электронов в металле
1.3.2 Потенциал пленки.
1.3.3 Потенциал иона водорода Н.
ГЛАВА ВТОРАЯ Метод эффективного расчета электронного обмена атомной частицы с поверхностью металла и его применение для некоторых систем.
2.1 Модель.
2.1.1 Решение уравнения Шредингера с гамильтонианом АндсрсонаНыонса
2.1.2 Изменение контура интегрирования.
2.2 Результаты и обсуждение
2.2.1 Статическая задача.
Широкая зона проводимости
Широкий атомный уровень
2.2.2 Динамическая задача
ГЛАВА ТРЕТЬЯ Особенности электронного обмена между ионом водорода Н и тонкими металлическими пленками.
3.1 Перезарядка иона Н на тонкой алюминиевой пленке при фиксированном
расстоянии до поверхности
3.1.1 Применение метода
3.1.2 Качественное рассмотрение электронного перехода на пленку
3.2 Электронный переход между атомной частицей и квантовой структурой,
состоящей из двух тонких пленок
Ф 3.2.1 Моделирование потенциала двух рядом расположенных пленок.
3.2.2 Параметры системы, влияющие на процесс зарядового обмена
Пленки одинаковой толщины. Резонансное туннелирование
Пленки различной толщины. Нерезонансное туннелирование.
3.2.3 Поведение энергии и ширины уровня иона
3.3 Влияние параллельной составляющей скорости на электронный обмен при скользящем рассеянии ионов водорода Н на тонкой пленке А1.
3.3.1 Заселенность состояний тонкой пленки
3.3.2 Учет влияния параллельной поверхности составляющей скорости
атома на формирование ионов Н.
ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ Электронный обмен между ионом и тонким металлическим диском. Проявление квантоворазмерного эффекта.
4.1 Электронный обмен в статическом случае.
4.1.1 Структура дискретных уровней энергии внутри диска.
4.1.2 Сравнение перезарядки на тонком диске и на тонкой пленке
4.1.3 Квантоворазмерный эффект.
4.2 Изучение электронного обмена иона Н с диском в динамическом случае
4.2.1 Вероятность выживания иона Н при его столкновении с
поверхностью.
4.2.2 Эффективная ширина уровня иона
ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА
- Киев+380960830922