Оглавление
Введение
1 Воздействие ТГцизлучения на люминесценцию ионов Ег3 в кристаллическом
1.1 Введение
1.2 Концепция нового механизма возбуждения
1.3 Вычисление вероятности возбуждения
1.3.1 Общее выражение для вероятности возбуждения.
1.3.2 Матричный элемент кулоновского взаимодействия.
1.3.3 Приближения и результат
1.4 Сравнение с экспериментом и обсуждение
2 Процессы ожевозбуждения ионов Ег в БьвЮг наноструктурах
2.1 Экситоны в нанокристаллах Б
2.1.1 Эффект размерного квантования электронных состояний .
2.1.1.1 Численное решение
2.1.1.2 Адиабатическое приближение.
2.1.1.3 Влияние второй зоны проводимости.
2.1.2 Эффект размерного квантования дырочных состояний .
2.1.3 Кулоновский сдвиг
2.1.4 Сравнение с экспериментом и обсуждение
2.2 Возбуждение ионов Ег .
2.2.1 Матричный элемент кулоновского взаимодействия.
2.2.2 Случай передачи большого квазиимпульса
2.2.3 Случай передачи малого квазиимпульса
2.2.3.1 Дипольдиполъное приближение.
2.2.3.2 Обобщение дипольдипольного приближения .
2.2.4 Обсуждение результатов
г
ОГЛАВЛЕНИЕ
3 Влияние магнитного поля на туннельную ионизацию глубоких центров
3.1 Введение.
3.2 Обзор литературы.
3.2.1 Термоионизация глубоких центров в полупроводниках .
3.2.2 Туннелирование электрона в электрических и магнитных полях.
3.2.3 Многофоннонное туннелирование теория и эксперимент .
3.2.4 Влияние заряда эффект ПулаФренкеля
3.3 Туннелирование электрона с глубокого центра под действием переменного электрического поля в присутствие магнитного поля . .
3.3.1 Квазиклссическая волновая функция туннелирующего электрона.
3.3.2 Вероятность прямого туннелирования электрона
3.4 Термоактнвированная туннельная
ионизация короткодействующего центра
3.5 Сравнение с экспериментом и обсуждение.
Заключение
А Модель зонной структуры i
А.1 Зона проводимости .
А.2 Валентная зона.
А.З Интеграл перекрытия между зонами и с2
А.4 Матричный элемент оптического перехода между зонами и с2 .
В Симметрийные свойства кулоновских интегралов
С i Пт0 0 общий случай
Список литературы
- Киев+380960830922