- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2002
Количество страниц:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование энергетического спектра кристаллов методом цепных дробей
- Природа электретного состояния в пленках и волокнитах на основе полипропилена и полиэтилентерефталата
- Закономерности температурной зависимости коэффициентов взаимной диффузии в системе железо-хром-никель
- Динамическая теория рентгеновской и электронной кристаллооптики
- Колебательный спектр частично разупорядоченных сегнетоэлектриков, сегнетоэластиков и родственных соединений
- Структура и электронные свойства чистой и покрытой ультратонкими металлическими слоями поверхности полупроводников в интервале температур 10К - 1200К
- Аналитическое исследование термостимулированных токов деполяризации в кристаллах с водородными связями при низких температурах
- Атомная структура поверхности GaAs(001)-4х2 при малой степени покрытия йодом
- Амплитудно-зависимые эффекты внутреннего трения в упорядочивающихся и стареющих системах
- Электропроводность галогенидов аммония и фуллерена при высоких давлениях