- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Радиационная стойкость гетероструктур AlGaAs для светодиодов ИК-диапазона
- Состав и структура композиционных мишеней на основе карбида и диборида титана, полученных методом СВС
- Динамические и резонансные эффекты при рассеянии нейтронов, рентгеновского и синхротронного излучения на совершенных кристаллах слабых ферромагнетиков и высокотемпературных сверхпроводников
- Закономерности формирования прочностных и пластических свойств ОЦК монокристаллов Fe-Cr-Co-Mo
- Вязкость и процессы затвердевания расплавов на основе Co, Ni и Fe с различной склонностью к объемной аморфизации
- Релятивистские эффекты в электронной и кристаллической структурах поверхностей и тонких пленок металлических систем
- Особенности высокотемпературных фазовых переходов марганецсодержащих перовскитов A'1-xA''xMnO3(A'-La, Pr A'' - Ca,Cd,Bi)
- Детерминированные и стохастические процессы термостимулированной электронной эмиссии с окисленных металлов
- Влияние скорости деформации на формирование текстуры металлов и сплавов с ГЦК-решеткой
- Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозонных материалов полупроводниковой оптоэлектроники