- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование оптических спектров графита, алмаза, сульфида свинца по характеристическим потерям электронов
- Немонотонная структурная эволюция в неравновесных сплавах на основе палладия, индуцированная водородом
- Фазовые переходы и электронные свойства халькогенидов свинца при высоком давлении
- Зондовые мессбауэровские исследования перовскитоподобных оксидов, содержащих атомы переходных металлов в необычных валентных состояниях
- Исследование явлений переноса в кристаллах без центра симметрии
- Структурные и субструктурные превращения при ориентированной кристаллизации аморфных пленок в гетеросистемах Cu/Ni, Cu/Pd, Ni/Pd
- Электронная структура и магнитные взаимодействия в молекулярных магнетиках
- Многослойная релаксация, поверхностная энергия и фононы на вицинальных поверхностях переходных ГЦК металлов
- Самозбірка низькорозмірних систем AI, Ni, Ti та Si за умов близькорівноважної конденсації
- Влияние состояния поверхности на электро- и фотолюминесцентные свойства порошковых цинксульфидных структур