- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фазовые переходы полупроводник-металл в почти ферромагнитных соединениях переходных металлов и гетерофазных системах на их основе : На примере силицидов железа
- Статистическая термодинамика магнитных дисперсных сред
- Электронные свойства и моделирование разбавленных магнитных полупроводников: Ga1-xMnxN, Ga1-xMnxAs, Ge1-xMnx
- Акустические исследования динамики нематических жидких кристаллов в меняющихся магнитных полях
- Разработка методов быстрой классификации белков по данным малоуглового рассеяния и анализ строения белковых комплексов в растворе
- Фотопроцессы на поверхности нанопористого кремния
- Изучение сенсорных свойств органических и полимерных пленок на твердой подложке
- Механизмы образования, строение и физические свойства наноразмерных структур, полученных облучением электронными пучками
- Пироэлектрические свойства монокристаллов группы ТГС, легированных ионами металлов
- Рефракционные и дифракционные элементы для фокусировки синхротронного излучения