СОДЕРЖАНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II
1.1.Процесс ЗСД адсорбированных газов с металлической II
поверхности.
1.2.Десорбция с поверхности ионных кристаллов.
1.3.Дальнейшее развитие представлений о механизме ЭСД. ГЛАВА П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
ВЫБОР ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ.
П.I.Описание экспериментальной установки.
П.1.1.Вакуумные условия.
П.1.2.0жеспектрометр.
П.1.3.Устройства для высокотемпературного прогрева образцов.
П.1.4.Установка для спектрофотометрического анализа образцов.
П.2.Выбор объектов исследования.
П.2.1.Общие требования.
П.2.2.Электронное строение монокристаллов.
П.3.Методика эксперимента.
ГЛАВА Ш. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ЭСД. 1.1.ЭСД с поверхности ыГ.
Ш.1.1.Изменения, происходящие в Ожеспектре ЬТ при электронном облучении.
Ш.1.2.Спектрофотометрический анализ кристалла ЬГ , облученного электронами
Ш.1.3.Обсуждение результатов
Ш.2.ЭСД с поверхности кристаллов г и 0 .
Ш.2.1.ЭСД с поверхности
Ш.2.2.ЭСД с поверхности АО. Ш.2.3.Обсуждение результатов
Ш.З. Электронная бомбардировка поверхности Иди . Ш.З. Экспериментальные результаты.
Ш.З.2.Обсуждение результатов.
Ш.4.Взаимодействие электронного пучка с поверхностью
Ш.5.Обсуждение результатов.
Ш.5.1.Расчт сечений ЗСД для исследованных веществ. Ш.5.2.Сопоставление полученных результатов с Югмод елью ЭСД.
ГЛАВА 1У. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЗСД.
1У.1.Глубина протекания ЭСД.
1У.1.1.Экспериментальные результаты.
1У.1.1.а. А3.
1У.1Л.6. 5.
1У.1.1.в .Слой 1 на М д 0 . 1У. 1.2.Оценка глубины протекания ЭСД. 1У.1.2.а. Аг О, .
1У. 1.3.Обоснование метода .
1У. 1.4.Механизмы разрушения ЩГК. Поверхностное и объмное разрушение.
1У.1.5.Высоко и низкоэнергетичные Ожепики 11 Г в 1У.1.6.Спектрофотометрический анализ образцов.
1У.2.Зависимость ЭСД от энергии первичных электронов Ер.
1У.2.1.Экспериментальные данные.
1У.2.2.Обсуждение результатов.
1У.1.2.6.Монокристалл
1У.2.2.аСвязь ЭСД с вероятностью ионизации остовных уровней.
У.2.2.6 .Ожекаскады.
1У.2.2.в.0 возможности термодесорбции при электронном облучении.
У.З.Влияние углеродных включений на ЭСД.
У.3.1.Связь между количеством углерода на поверхности и эффективностью ЗСД.
У.3.2.Изменение концентрации углерода на поверхности при ее облучении электронами.
IV.З.З.Обсувдение результатов. 1 ГЛАВА У. РАССМОТРЕНИЕ КИНЕТИКИ ЭНЖТРОННОСТИМУЛИРОВАННОЙ
ДЕСОРБЦИИ.
V.. Сопоставление полученных результатов с КГмоделью ЭСД.
У.2.Сравнительная характеристика МвВ и КГмоделей
У.3.Построение диаграммы энергетических уровней аниона на поверхности.
У.4.Рассмотрение кинетики ЭСД.
У.5.Некоторые приложения кинетической модели ЭСД.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА
- Киев+380960830922