Содержание
Введение.
1. Транспорт носителей заряда в однородном и неоднородном магнитных полях
1.1 Двумерный электронный газ в квантующих магнитных полях
1.2 Краевые состояния. Формализм ЛандауэраБюттикера.
1.3 Транспорт носителей заряда в неоднородном магнитном поле.
1.4 Способы создания неоднородного магнитного поля на образце
2. Изготовление оболочек с двумерным электронным газом из гетероструктур на основе СлАб
2.1 Принцип изготовления полупроводниковых оболочек
2.2 Изготовление оболочек малого радиуса на основе гетероструктур ОаАБЛгЮаАБ с двумерным электронным газом
2.3 Изготовление оболочек с высокоподвижным двумерным электронным газом.
3. Магнитотранспортные свойства
двумерного электронного газа ДЭГ на цилиндрической поверхности
3.1 Результаты тальваномагнитных измерений
в планарных гетероструктурах с одиночными барьерами и оболочках на их основе.
3.2 Результаты гальваномагнитных измерений в планарных гетероструктурах с высокоподвижным ДЭГ
3.3 Продольное и поперечное сопротивление в оболочках
с высокоподвижным ДЭГ.
3.4 Краевые состояния в оболочках с ДЭГ и расчеты зависимостей сопротивлений от магнитного поля
4. Изготовление субмикронных оболочек для магнитотранспортных измерений
4.1 Оболочки на основе 1пАз .
4.2 Оболочки на основе БДОЮс.
4.3 Электрическая изоляция оболочек от проводящих подложек.
4.4 Управление радиусом изгиба оболочек
Заключение
Публикации
Список цитируемой литературы
- Киев+380960830922