ОГЛАВЛЕНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУЖДЕНИЙ И ДЕФЕКТОВ В ДИЭЛЕКТРИКАХ
1.1. РАДИАЦИОННЫЕ ПОВРЕЖДЕНИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
1.1.1. Элементарные акты взаимодействия ионизирующего излучения с веществом
1.1.2. Смещение атомов в твердых телах при облучении
1.1.3. Смещение атомов при взаимодействии фотонов и
нейтронов с твердым веществом
1.1.4. Смещение атомов при взаимодействии электронов и
ионов с твердым телом
1.1.5. Радиационные дефекты в кристаллах
1.1.6. Особенности греков заряженных частиц и
распределения энергии в них
1.2. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РАДИАЦИОННОИНДУЦИРОВАННЫХ ДЕФЕКТОВ В ВеО и ссА
1.2.1. Дсфектообразованис в процессе роста кристаллов.
Легирование примесями
1.2.2. Аддитивное и субстрактивное окрашивание
1.2.2. Радиационное окрашивание
1.2.3. Оптические свойства собственных дефектов
1.3. ОСТОВНОВАЛЕ1П НАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
1.3.1. Спектральнокинетические характеристики.
Механизм остовновалентных переходов
1.3.3. Особенности высокоэнергетического возбуждения
1.4. ЗАДАЧИ НАСТОЯЩЕЙ РАБОТЫ
2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1.1. Кристаллы оксидов бериллия и алюминия
2.1.2. Кристаллы фторида бария и хлорида цезия
2.2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.2.1. Ускоритель тяжелых заряженных частиц
2.2.2. Радиационно оптический комплекс на канале циклотрона
2.2.2. Исследование катодо и фотолюминесценции
2.2.3. Обработка результатов эксперимента и модельные расчеты
3. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ОКСИДАХ БЕРИЛЛИЯ И АЛЮМИНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
3.1. Ионолюминесценции и дефектообразование в ВеО
3.2. Образование метастабильных дефектов в
кристаллах ВеО под воздействием электронов
3.3. Ионолюминесценции и дефектообразование
в кристаллах агО
Выводы к главе
4. ОСТОВНОВАЛЕНТНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ С5СБ И ВАЕ2 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ
4.1. Ионолюминесценция кристаллов СвС и ВаБг
при воздействии тяжелых заряженных частиц
4.2. Катодолюминесценцня кристаллов СвС1 и ВаГ2 при облучении электронных пучком различной плотности
4.3. Рекомбинационное создание катионных экситонов
и ту шение ОВЛ при больших плотностях возбуждения
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
ЛЛЭ автолокализованный экситон
31 внутризонная люминесценция
ВУФ вакуумный ультрафиолет
ИИ ионизирующее излучение
КЛ кросслюминесценция
ЛПЭлинейные потери энергии
ОВЛ остовновалентная люминесценция ОВП остовновалентные переходы
ОПЭ объемные потери энергии
ОРР обратное резерфордовское рассеяние ТЗЧ тяжелые заряженные частицы
УФ ультрафиолет
ФД френкелевский дефект
ЦО центры окраски
ЩГК щелочногалоидный кристалл
ЩЗО щелочноземельный оксид
ЭВ электронные возбуждения.
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность
- Киев+380960830922