СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Современные представления о физике фазового перехода металлполупроводник в оксидах и халькогенидач переходных металлов и возможности его применения
1.1.Проблема создания элементов оптических систем и фазовый переход в оксидах и халькогенидах переходных металлов.
1.2.Моделн фазового перехода металл полупроводник.
1.3.Современные представления о природе фазового перехода металл полупроводник в диоксиде ванадия и сульфиде серебра
2. Методика эксперимента
2.1 .Получение тонкослойных структур на основе диоксида ванадия.
2.2.Методика получения тонкослойных структур на основе сульфида серебра
2.3.Методы исследования структуры и физических свойств изучаемых материалов.
2.3.1.Измерение коэффициента отражения
2.3.2. Исследование морфологии опытных образцов.
3. Нелинейные оптические свойства поликристалличсских и аморфных слоев диоксида ванадия и сульфида серебра
3.1 .Строение и температурный гистерезис отражательной способности поликристалличсских слоев диоксида ванадия.
3.2.Темпсратурный гистерезис отражательной способности аморфных
слоев диоксида ванадия при фазовом переходе металл
полупроводник .
З.З.Оитические свойства пленок сульфида серебра вблизи температуры фазового перехода полупроводникметалл
4. Применение фотоиндуцированного фазового перехода металл
полупроводник в поликристаллических слоях диоксида ванадия и сульфида серебра.
Заключение
Список литературы
- Киев+380960830922