Содержание
Глава 1
1.1. Состояние вопроса.
1.2. Проблемы в описании дислокационного транспорта
1.3 Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций.
1.4 Анодные процессы на поверхности полупроводника
1.5 Окисление полупроводника
Глава 2. Методическая часть.
2.1 Скрайбирование кремния с целью формирования зон упругих напряжений и введения дислокаций
2.2. Режимы отжига кремниевых пластин.
2.3. Методика выявления дислокаций и расчет их линейной плотности
2.4 Скрайбирование кремния в водных растворах.
2.4.1 Скрайбирование кремниевых пластин в различных средах при
воздействии электрического поля.
2.4.2. Методика изучения анодных процессов на поверхности полупроводника
Глава 3. Формирование дислокационной структуры вблизи концентраторов напряжений.
3.1 Скрайбирование как процесс разрушения кристалла.
3.2 Анизотропия основных параметров скрайба.
3.3 Дислокационная структура вблизи концентраторов напряжений при различных направлениях индентирования.
3.4 Релаксация упругих напряжений при различных температурных режимах обработки.
3.5 Эволюция линейной плотности в дислокационной дорожке со временем отжига.
3.6 Возмущения, вносимые индентором при скрайбировании.
Глава 4. Поверхностные свойства кремния после токовой обработки в
водных растворах.
4.1. Изменение параметров скрайба и дислокационной картины при индентировании п в воде.
4.1.1. Изменение параметров скрайба при скрайбировании кремния в Н без внешней поляризации.
4.1.2. Изменение параметров скрайба при индентировании кремния в Н с внешней поляризацией
4.2 Влияние электрического поля на краевой угол смачивания кремния водой
4.3 Взаимосвязь механических свойств кремния с ВАХ полупроводника в водных растворах.
4.4 ИКспектральный анализ кремния при различных режимах анодного формирования окисных пленок
4.5 Кинетика окисления кремния в водных растворах при анодной поляризации.
Основные результаты и выводы
Список литературы
- Киев+380960830922