Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава 1. Природа НЧ шума в барьерных структурах
1.1 Основные параметры и характеристики НЧ шума
1.2 Модели, описывающие механизмы генерации низкочастотного шума
1.3 Использование статистики ШоклиРида для описания механизма генерации НЧ шума .
1.4 Активационнодрейфовая модель формирования
НЧ шума в барьерных структурах
1.5 Зависимость характеристик НЧ шума от внешних факторов Выводы по главе 1 .
Глава 2. Развитие активационнодрейфовой модели генерации
НЧ шума в барьерах Шоттки и несимметричных рп перходах
2.1 Зависимость времени релаксации активационнодрейфового процесса от напряжнности поля в ОПЗ.
2.2 Зависимость плотности мощности НЧ шума на фиксированной частоте от величины напряжения
обратного смещения
Выводы по главе 2 .
Глава 3. Разработка автоматизированной экспериментальной установки для исследования НЧ шума
3.1 Основные требования к методике измерения зависимости СПМ НЧ шума от напряжения смещения
3.2 Требования к измерительной установке .
3.3 Функциональная схема установки .
3.4 Разработка программного обеспечения
3.5 Параметры разработанной установки
3.6 Способ выделения частоты изменения наклона кривой
аппроксимирующей спектр НЧ шума
3.7 Методика эксперимента .
Выводы по главе 3 .
Глава 4. Исследование спектров НЧ шума полупроводниковых структур с барьером Шоттки
4.1 Исследование спектров НЧ шума детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения на основе АМОаАэ .
4.2 Исследование вольтшумовых характеристик детекторов заряженных частиц .
4.3 Исследование мощных кремниевых диодов Шоттки
с помощью спектроскопии НЧ шума
Выводы по главе 4
Основные результаты и выводы
Литература