- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2006
Артикул:
7361 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Процессы испарения и кристаллизации окисных сло#в на германии
- Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
- Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
- Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
- Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования
- Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния
- Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на свойства области пространственного заряда в тонкопленочных структурах
- Влияние адсорбции молекул газа на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников
- Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов