- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2006
Артикул:
7361 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках
- Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
- Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
- Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As
- Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами
- Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах
- Исследование акустоэлектрических явлений в структуре металл-диэлектрик-CdS-LiNbO/3