СОДЕРЖАНИЕ
Введение .
Глава I. Высокоомный полупроводник РИзОф сурик
1.1. Общие сведения о сурике и методы его получения
1.2. Электрические свойства РД.
1.3. Поглощение света и фотоэлектрические
свойства Р8Д .
Выводы к главе I. Оценка параметров Р6Д в свете требований, предъявляемых к электрофотографическим слоям
Глава П. Методика получения диспергированных электрофотографических слоев Р6Д и измерений в электрофотографическом режиме. Создание слоев оптимальной структуры
2.1. Получение диспергированных слоев и таблеток
Р0, , нанесение диэлектрических пленок
2.2. Методика измерений электрофотографических параметров слоев .
2.3. Зависимость параметров ЭФС Р6Д от технологий их изготовления. Получение высокочувствительных слоев
Выводы к главе П
ГлаваШ . Спектр локальных состояний и механизм темновой
разрядки ЭФС РЦ
3.1. Энергия активации локальных состояний ЭФС
3
3.2. Механизм темновой разрядки электрофотографических слоев на основе Р0, .
Выводы к главе Ш.
Глава 1У. Особенности фоторазрядки слоев РЦ
4.1. Квантовая эффективность и абсолютный квантовый
выход фоторазрядки слоев РЦ. .
4.2. Анализ моделей фоторазрядки электрофотографических слоев и механизм световой релаксации поверхностного потенциала ЭФС Р 0
Выводы к главе 1У. ПО
Глава У. Электрофотографические свойства полифазных окисно
свинцовых слоев
5.1. Темновые характеристики полифазных ЭФС .
5.2. Особенности фоточувствительности полифазных
5.3. Зависимость параметров окисносвинцовых ЭФС от режима их эксплуатации .
Выводы к главе У.
Выводы к диссертации .
Литература
- Киев+380960830922