- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Закономерности формирования и свойства гетероструктур на основе неупорядоченных полупроводников
Тип роботи:
Дис. д-ра техн. наук
Рік:
2002
Артикул:
25809 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии
- Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
- Разработка и исследование процесса и оборудования низкотемпературного испарения влагосодержащих веществ в вакууме
- Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера
- Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
- Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки
- Разработка и исследование методов и средств повышения технического уровня элементной базы вакуумного электронно-зондового и ионно-лучевого оборудования микроэлектроники
- Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
- Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ
- Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники