СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.
1.1. Гетероструктуры на основе твердых растворов полупроводников АШВУ и их применение.
1.1.1. Изопериодические структуры 1ихСа хАБ уРу1пР
1.1.2. Квантовые структуры с напряженными решетками 1пхСа,хАвСаАв .
1.2. Влияние условии эпитаксии на амфотерное поведение примеси кремния в СаАа
1.3. Основные положения теории люминесценции сильно легированных полупроводников САП .
1.3.1. Энергетический спектр электронных состояний
1.3.2. Излучательная рекомбинация в САП.
1.3.3. Состояние исследований фотолюминесценции ФЛ сильно легированных ваАв и 1пхС1а1 хАв1 уРу
1.4. Постановка задачи.
ГЛАВА 2. МЕХАНИЗМЫ МЕЖЗОННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В
СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННОМ ЫСаАйР
2.1. Методика измерения спектров ФЛ
2.2. Экспериментальные спектры краевой ФЛ слоев 1пхСа хАБ уРу в зависимости от температуры и плотности возбуждения
2.3. Обсуждение механизмов рекомбинации
2.4. Расчет спектров краевой люминесценции в
1пхОа ХАЬ уРу и сопоставление с экспериментом
2.4.1. ВТмеханизм рекомбинации.
2.4.2. ТВмеханизм рекомбинации.
2.5. Выводы к главе 2
ГЛАВА 3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ Б1ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ ваЛь, ВЫРАЩЕННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ПАРЦИАЛЬНЫХ ДАВЛЕНИЯХ МЫШЬЯКА
3.1. Технологические параметры исследованных образцов
3.2. Экспериментальные спектры ФЛ
3.3. Расчет спектров краевой ФЛ для ВТ переходов в п С1аАБ
и сравнение с экспериментом.
3.4. Природа примесных полос ФЛ в легированпом СоАб
3.5. Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ ДИАГНОСТИКА
ПСЕВДОМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР ЫСаАвСаАБ С ОДИНОЧНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ.
4.1. Расчет энергии переходов в зависимости от ширины квантовой ямы и состава твердого раствора.
4.2. Расчет ширины спектра экситонпой ФЛ
4.2.1. Влияние флуктуаций состава твердого раствора.
4.2.2. Влияние разупорядочения гетерограниц.
4.3. Экспериментальные спектры экситонной ФЛ из одиночных квантовых ям в структурах ГпСаАБСаАз.
4.3.1. Технологические параметры структур и методика эксперимента.
4.3.2. Анализ механизмов уширения экситонной линии
4.4. Температурные исследования ФЛ структур 1пхСа1хАбСаАв с квантовыми ямами.
4.4.1. Зависимости итгтепсивпости ФЛ от температуры и плотности возбуждения
4.4.2. Зависимость ширины запрещенной зоны
1пхСа хАб от температуры и содержания индия
4.5. Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922