- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
135
Артикул:
232857 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование влияния сорбата остаточных газов на работоспособность элементов вакуумного технологического оборудования
- Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления
- Исследование и разработка технологий создания фотоэлектродов на основе наноструктурированного оксида титана
- Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
- Оптимизация условий выращивания и использование третьего компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
- Разработка нанокомпозитных материалов на основе синтетических и природных полимеров и органических производных фуллерена C60 для электронной техники
- Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
- Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве
- Получение твердых растворов GalnAsP на подложках пористого фосфида индия
- Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии