- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2009
Кількість сторінок:
242
Артикул:
233062 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка основ технологии получения нанокомпозита FeNi3/C на основе полиакрилонитрила, FeCl3×6H2O и NiCl2×6H2O под действием ИК нагрева
- Выращивание монокристаллов и суперионная проводимость нестехиометрических фторидов со структурой типа тисонита (LfF3 )
- Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Получение профилированных монокристаллов карбида кремния методами сублимации и электрической эрозии
- Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
- Разработка физических принципов и создание оборудования для модификации магнитных состояний тонкопленочных слоев магнитных носителей информации
- Повышение качества бипланарных электронно-оптических преобразователей по параметру отношение сигнал-шум за счет разработки новых технологических режимов операции финишной обработки
- Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона
- Создание новых пьезоэлектрических материалов с заданными свойствами и приборов на их основе
- Разработка конструктивно-технологических методов производства кремниевых чувствительных элементов давления с повышенной стойкостью к перегрузкам