- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324647 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов
- Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
- Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
- Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAs
- Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
- Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния
- Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
- Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия