- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324647 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
- Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
- Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
- Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн
- Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия
- Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов
- Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур
- Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления
- Дефекты, кристаллографическое упорядочение, свойства оксидов со структурой граната