- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324647 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных пл#нок
- Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур
- Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs
- Динамика фазовых превращений релаксорных сегнетоэлектриков в спектрах комбинационного рассеяния света
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs : Разработка и применение
- Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе
- Магнитокинетические явления в трехмерном и двумерном электронном газе в сплавах на основе теллурида ртути
- Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода : λ = 1.3-1.55 мкм