- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
Тип работы:
Кандидатская
Год:
2013
Артикул:
324647 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов
- Теория фазовых переходов в неоднородные состояния, обусловленных кулоновским взаимодействием, в полупроводниках и сегнетоэлектриках
- Влияние реальных параметров случайного поля на кинетику носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
- Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов
- Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде
- Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
- Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе