Ви є тут

Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами

Автор: 

Орешков Максим Викторович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2012

Артикул:

1005475360

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
• Поверхностные упругие, магнитостатические и магнитоупругие волновые процессы в неоднородных твердых телах
• Спетры колебаний решетки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов
• Оптические свойства пористых низкоразмерных структур на основе кремния и фосфида галлия
• Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия
• Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута
• Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
• Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксии
• Влияние параметров центров захвата на фотоэлектрические свойства кристаллов типа силленита
• Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной