Модели индукционных взаимодействий в конструкциях мощных ВЧ и СВЧ транзисторов на основе изоморфно-коллективного подхода

ОГЛАВЛЕНИЕ
Сокращения, используемые в диссертации
Введение .
Глава 1. Учет особенностей конструкций мощных ВЧ и СВЧ
транзисторов при их моделировании
1.1. Особенности современных моделей мощных ВЧ и СВЧ транзисторов на переменном сигнале
1.2. Современное состояние соотношения объектмодель отдельных компонент физических моделей мощных ВЧ и СВЧ транзисторов
1.2.1. Моделирование тепловых параметров и тепловых взаимодействий
1.2.2. Расчет эквивалентных емкостей и моделирование емкостных взаимодействий
1.2.3. Моделирование индукционно обусловленных параметров
и индукционных взаимодействий
1.2.4. Моделирование мощных ВЧ и СВЧ транзисторов в составе усилителей мощности.
1.2.5. Мощные СВЧ транзисторы как системы параллельного усиления и суммирования мощности
1.3. Концепция изоморфноколлективного подхода к моделированию
мощных ВЧ и СВЧ транзисторов.
Выводы к главе I и формулировка задач исследования.
Глава 2. Учет явлений самоиндукции и взаимоиндукции во входных и выходных конту рах мощных ВЧ и СВЧ транзисторов .
2.1. Геометрический индуктивный фактор и его основные свойства .
2.2. Элементарные геометрические индуктивные факторы.
2.3. Моделирование самоиндукции и взаимоиндукции в плоских
контурах сложной формы.
2.4. Учет особенностей геометрии внутрикорпусных соединений мощных СВЧ транзисторов при вычислении магнитных потоков
2.5. Учет магнитного поля в объеме проводников при расчете
потоков самоиндукции
Выводы к главе 2.
Глава 3. Учет электромагнитных взаимодействий в согласующих цепях в композиционных физических моделях мощных
ВЧ и СВЧ транзисторов
3.1. Модели индукционных взаимодействий во входных и выходных цепях транзисторов, не содержащих внутренних согласующих ЬС звеньев.
3.2. Моделирование индукционных взаимодействий во входных и выходных цепях транзисторов с согласующими ЬСзвеньями
3.2.1. Методики расчета эквивалентных индуктивностей транзистора с внутренним входным согласующим
ЬСзвеном
3.2.2. Особенности расчета эквивалентных индуктивностей и коэффициентов усиления по мощности СВЧ транзисторов с модульным расположением транзисторных ячеек.
3.2.3. Особенности расчета эквивалентных индуктивностей и коэффициентов усиления по мощности СВЧ транзисторов
с повышенной плотностью монтажных соединений.
3.3. Особенности расчета эквивалентных индуктивностей и коэффициентов усиления по мощности балансных СВЧ транзисторов.
3.4. Учет особенностей конструкций распределенных систем соединений в композиционных моделях некоторых мощных СВЧ транзисторов.
3.4.1. Методика расчета эквивалентных индуктивностей мощного СВЧ ДМОП транзистора с горизонтальным каналом
3.4.2. Особенности расчета потоков самоиндукции и взаимоиндукции в системах соединений мощных СВЧ транзисторов с двухслойными керамическими корпусами .
3.5. Анализ распределения токов общего электрода
Выводы к главе 3.
Глава 4. Приложения декомпозиционного подхода к
моделированию индукционных взаимодействий
транзисторных ячеек
4.1. Некоторые приложения декомпозиционного подхода к
моделированию индукционно обусловленных параметров
мощных СВЧ транзисторов
4.1.1. римерная методика расчета индуктивности общего вывода
4.1.2. Расчет токов в системе соединительных элементов.
4.1.3. Потери мощности, обусловленные неоднородностью
индукционно обусловленных параметров транзисторных ячеек.
4.2. Учет влияния проводящих поверхностей на потери мощности во
входных цепях мощных ВЧ и СВЧ транзисторов
4.3. Влияние электромагнитного взаимодействия входных контуров
на распределение мощности по транзисторным ячейкам
4.4. Моделирование работы транзистора в рассогласованном режиме
4.4.1. Распределение мощности по транзисторным ячейкам в рассогласованном режиме.
4.4.2. Оценка устойчивости мощного СВЧ транзистора к работе в рассогласованном режиме
Выводы к главе 4
Глава 5. Совершенствование конструкций транзисторов и
процедур синтеза входных согласующих цепей
5.1. Снижение потерь мощности в узкополосных СВЧ транзисторах
с встроенным входным согласующим звеном
5.2. Минимизация потерь мощности во входных согласующих цепях
широкодиапазонных мощных СВЧ транзисторов.
5.3. Технические решения, обеспечивающие улучшение
энергетических характеристик мощных СВЧ транзисторов, их частотных свойств и показателей надежности.
5.3.1. Компенсация неоднородности эквивалентных индуктивностей транзисторных ячеек
5.3.2. Повышение равномерности распределения мощности по транзисторным ячейкам.
5.3.3. Обеспечение равномерного распределения мощности по активным областям транзисторов
5.3.4. Улучшение частотных свойств корпусов мощных ВЧ
и СВЧ транзисторов.
Выводы к главе 5
Заключение
Литература