ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА И МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВЧ И СВЧ МОЩНЫХ ДМОПТРАНЗИСТОРОВ.И
1.1. Конструкции и физические особенности работы мощных ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторов
1.2. Система энергетических параметров ДМОП ВЧ и СВЧ транзисторов и их малосигнальные эквивалентные схемы
1.3. Модели ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторов в режиме большого сигнала.
1.4. Параметры большого сигнала Рь КУР, гС ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторов и их связь с малосигнальными параметрами.
1.5. Методики расчета индуктивностей выводов и входных внутрисогласующих цепей мощных ВЧ и СВЧ транзисторов.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ РАСЧЕТА КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПО МОЩНОСТИ И ВХОДНОГО ИМПЕДАНСА ВЧ И СВЧ МОЩНЫХ ДМОП ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ УТОЧНЕННОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ.
2.1. Уточненные параметры и эквивалентная схема мощных ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторов на большом сигнале.
2.2. Матрица Апараметров ВЧ и СВЧ мощнах ДМОПтранзисторов
V 2.3. Методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного
импеданса на большом сигнале СВЧ ВЧ мощных ДМОПтранзисторов.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ИНДУКТИВНОСТЕЙ ВЫВОДОВ И
ВХОДНЫХ ВНУТРИСОГЛАСУЮЩИХ ЦЕПЕЙ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ
ДМОПТРАНЗИСТОРОВ.
3.1. Аналитический метод расчета индуктивностей выводов мощных ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторов.
3.2. Метод расчета индуктивностей выводов мощных ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторов, основанный на трехмерном электромагнитном моделировании в среде iv i.
3.3. Метод расчета входных внутрисогласующих цепей мощных ВЧ и СВЧ ДМОПтранзисторо.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.
ГЛАВА 4. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРЕМЕНТАЛЬНЫЕ
ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ КОРПУСА НА
КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ ПО МОЩНОСТИ И ИНДУКТИВНОСТИ
ВЫВОДОВ ВЧ И СВЧ МОЩНЫХ ДМОПТРАНЗИСТОРОВ
4.1. Расчет индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОПтранзисторов разных конструкций
4.2. Методика измерения энергетических параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОПтранзисторов и сравнительный анализ экспериментальных и рассчитанных значений
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922