СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР СОВРЕМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ НАПРАВЛЕНИЙ СОЗДАНИЯ ГЛУБОКО СУБМИКРОННЫХ МОПТРАИЗИСТОРОВ.
1.1 Анализ способов, позволяющих обойти ограничения, присущие процессу дальнейшего масштабирования, и новых конструкций для изготовления транзисторов с проектными нормами менее 0.1 мкм
1.2 Полностью обедненный МОП транзистор, особенности его изготовления и электрофизические свойства
1.3 Выводы и постановка задачи
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ДВУХЗАТВОРНОГО МОП ТРАНЗИСТОРА ПРИ ПОМОЩИ ПРИБОРНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ
2.1 Сравнительный анализ характеристик традиционного и двухзатворного МОП КНИ транзисторов
2.2 Изучение влияния конструктивных особенностей на физику двухзатворного транзистора
2.3 Выводы
ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ТЕХНИКИ ЗАТВОРНОЙ ИНЖЕНЕРИИ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ДВУХЗАТВОРНЫХ МОП ТРАНЗИСТОРОВ
3.1. Применение затворной инженерии в субмикрон ном двухзатворном МОП транзисторе.
3.2. Математический аппарат для моделирования субмикронных и наноразмерных МОП транзисторов
3.3. Затворная инженерия в баллистическом транзисторе.
3.4. Выводы.
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛНОСТЬЮ ОБЕДНЕННОГО ТРАНЗИСТОРА НА КНИ ПОДЛОЖКЕ
4.1. Моделирование технологии изготовления и работы пканального транзистора.
4.2. Моделирование технологии изготовления и работы рканального
транзистора.
4.3. Выводы.
ГЛАВА 5. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ.
5.1. Формирование технологического маршрута изготовления полностью обедненных транзисторов из результатов приборного моделирования. канальный транзистор. Калибровка модели
5.2. Р канальный транзистор. Калибровка модели.
5.3. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922