- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ
Тип роботи:
диссертация кандидата технических наук
Рік:
2001
Кількість сторінок:
110
Артикул:
1000322459 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов
- Исследование и разработка технологического процесса лазерной полировки стекломатериалов в приборостроении и электронной технике
- Разработка основ технологии получения углеродного нанокристаллического материала и металлоуглеродных нанокомпозитов на основе полиакрилонитрила и солей металлов : Cu, Fe, Co
- Технология структур карбид кремния - кремний для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
- Повышение качества бипланарных электронно-оптических преобразователей по параметру отношение сигнал-шум за счет разработки новых технологических режимов операции финишной обработки
- Разработка методов и средств повышения эффективности действия турбомолекулярных насосов в составе вакуумных систем оборудования электронной техники
- Исследование процессов, разработка и создание аппаратуры для стирания информации с носителей на основе микросхем с энергонезависимой памятью
- Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников
- Многофункциональные оптические среды на основе оксидных монокристаллов сложного состава, выращиваемых из расплавов
- Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит