Разработка физико-химических основ и наземная отработка метода выращивания кристаллов полупроводников бесконтактной направленной кристаллизацией из расплава в условиях микрогравитации

Введение.
Глава 1. Выращивание монокристаллов из расплавов в условиях пониженной гравитации Обзор литературы.
1.1 Введение
1.2 Общая схема эксперимента
1.3 Выбор кристаллизационной системы и исследуемых материалов.
1.4 Выбор методов выращивания и исследования свойств кристаллов.
1.5 Фундаментальные закономерности тепломассопереноса
кристаллизационных процессов в условиях микрогравитации.
1.6 Реальная микрогравитационная обстановка и ее влияние на
процессы кристаллизации на борту космических аппаратов
1.7 Применение внешних контролируемых воздействий для управления процессом тепломассопереноса в расплаве
при кристаллизации в условиях микрогравитации.
1.8 Выращивание материалов методом направленной
кристаллизации в условиях микрогравитации.
1.9 Постановка целей и задач исследований.
Глава 2. Разработка физико химических основ метода бесконтактной направленной кристаллизации расплавов полупроводников.
2.1 Введение
2.2 Сущность метода бесконтактной направленной кристаллизации и условия стабильности расплава при реализации
метода на борту космических аппаратов.
2.3 Принципиальная схема реализации метода
2.4 Обоснование выбора материалов для элементов конструкции
ростового узла установки выращивания
2.5 Исследования углов смачивания.
2.6 Выводы
Глава 3. Наземная отработка космических экспериментов.
3.1 Наземная отработка космических экспериментов по бесконтактной направленной кристаллизации германия на установке Галлар.
3.1.1 Введение
3.1.2.0собенности используемой аппаратуры.
3.1.3.Подготовки исходных и вспомогательных материалов
3.1.4.Разработка конструкции ампул для наземной
отработки и космических экспериментов.
3.1.5.Наземная отработка процесса направленной кристаллизации
на установке Галлар.
ЗЛ.б.Программы исследований образцов после
проведения космических экспериментов
3.1.7. Рекомендации по проведению космического эксперимента по кристаллизации германия методом бесконтактной направленной кристаллизации на установке Галлар или аналогичном оборудовании
3.1.8.Вывод ы.
3.2 Наземная отработка космических экспериментов по бесконтактной направленной кристаллизации антимонида галлия на установке Полизон.
3.2.1 Введение
3.2.2. Краткое описание установки Полизон.
3.2.3.Конструкции ампул и имитаторов для процесса
направленной кристаллизации на установке Полизон
3.2.4.Подготовки исходных и вспомогательных материалов, сборка ампул
3.2.5.Методика настройки температуры нагревателей установки типа Полизои.
3.2.6. Методические исследования и развитие метода контроля
направленной кристаллизации полупроводников в космосе.
3.2.7. Результаты наземной отработки процессов направленной кристаллизации антимонида галлия на установке Полизон,
исследование свойств полученных образцов.
3.2.8. Рекомендации по проведению космического эксперимента по кристаллизации антимонида галлия методом бесконтактной направлешюй кристаллизации на установке Полизон
3.2.8. Выводы
Глава 4. Разработка метода вертикальной направлешюй кристаллизации термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута.
4.1. Введение.
4.2 Разработка макета установки вертикальной направленной кристаллизации.
4.3. Выращивание кристаллов термоэлектрических материалов
на основе теллурида висмута
4.4. Исследования структуры и термоэлектрических свойств поликристаллических термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации
4.5.Рекомендации по разработке конструкции ампулы и наземной отработке экспериментов по бесконтактной направленной кристаллизации твердых растворов на основе теллурида висмута
4.6. Выводы
Выводы по работе.
Приложения.
Приложение 1
Приложение 2
Приложение 3
Приложение 4
Список литературы