Ви є тут

Влияние давления на стабильность электронных и магнитных состояний систем на основе 3d- и 4f-элементов

Автор: 
Медведева Ирина Владимировна
Тип роботи: 
дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік: 
2006
Артикул:
6024
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
в элементах микроэлектроники, например, при наличии внутренних напряжений
интерметаллидам железа и редкоземельных металлов. Многие представители
переходов между этими различными состояниями под действием внешнего и
металлов УрО РАН, Екатеринбург; 4-й Институт физики Геттингенского
Магнитные структуры при высоких давлениях до 10 кбар изучались в
давления на электросопротивление некоторых из изученных веществ
Исследования термического расширения под давлением и
Для фундаментальных исследований и практических применений в
являющихся сверхпроводниками, в которых под давлением появляется
предсказаний теоретических моделей с наблюдаемыми эффектами давления.
Таблица 1.1. Значения начальной объемной сжимаемости к при Ткомн
Сжимаемость сверхпроводящих оксидов Я-А-Си-0 (Я-
1.3. Влияние давления на магнитные состояния твердых тел
как в общем случае не известна связь между /с и параметрами электронной
Первое равенство является точным, а второе зависит от выбора модели, то есть вида зависимости между Тс^и а. Таким образом, на основе экспериментальных данных по барическим производным с1Т(/с1Р и можно провести проверку теоретических моделей описывающих магнетизм конкретных систем.
В настоящее время нет единой модели, пригодной для описания магнетизма простых магнитных металлов, их сплавов и соединений. В табл. 1.2-1.7 приведены значения температур магнитного упорядочения и их барических производных для переходных 3(1- и 4/- металлов и систем на их основе. Из этих таблиц видно, что действие давления на температуры магнитного упорядочения этих веществ не подчиняется единой закономерности: наблюдаются различные знаки и величины барических производных температур магнитного упорядочения, что указывает на реализацию различных механизмов обмена, обусловливающих магнетизм в этих системах.
На начальном этапе накопления экспериментальных данных предпринимались попытки вывести достаточно простые общие закономерности изменения температур магнитного упорядочения, например, в зависимости от отношения межатомного расстояния в решетке к радиусу незаполненной (I-оболочки и т.п. Эти попытки не привели к успеху ни в простых металлах, ни в простых соединениях с контролируемым изменением объема. В некоторых случаях удалось выделить классы магнитных материалов, в которых были установлены определенные закономерности: например, подавление
ферромагнетизма под давлением (в богатых железом сплавах и интерметаллидах) или усиление антиферромагнетизма под давлением (в манганитах типа ЛМпОз). В таких случаях теоретические модели получали более надежное эмпирическое подтверждение. Однако во многих случаях теоретическое описание вещества существенно зависит от его конкретной электронной структуры, и барические эффекты определяются объемным изменением нескольких электронных параметров. В реальных ситуациях электронные зоны могут гибридизироваться, могут осуществляться межзонные переходы. Кроме того, достаточно сложно оценить изменение межэлектронных или электрон-фононных взаимодействий под давлением.
34
Таблица 1.2. Влияние давления на температуры магнитного упорядочения 3</- и 4/- металлов (Ло<ЙР или Дд/йР- начальные барические производные)
Металл Структура [2] Магнитное состояние Тс, К 7* К (П'с/с1Р или £/7лЛ/Л К/кбар Ссылки
Сг оцк, 1шЗш(0Уь) д=2.8845А, г=2 АР 312 -(5.0-6.0) г#431
а-Мп куб, 143т(Т\|) о2ос=8.913бА, г=58 АР 100 -1.7 ^44 45|
а-Ге оцк, 1шЗш (0Уь) а2ос=В.913бА,г=2 Р 1044 (0±0.03) ^40,471
а-Со гцк, ¥т$т (0^) аюс^З.5440А, 1=4 Р 1398 (0±0.05) |"4Ь,4/1
М гцк ¥тЗт (0*ь) о20с=3.5238А, г=4 Р 630 0.35 ^4б-ЬО|
ть гпу Рбз/ттс 02ос=3.60ЮА, С2ос=5.6936А, 1=2 Р 218 230 -0.825 -1.08 -0.76-1.2 [5,] 11 [56,
Оу гпу Рбз/ттс (04вь) 02ос=3,5903А, с20с=5.6475 А, г=2 Р 90 179 -(0,4-0.6) ^52,55 5Ь|
вс! гпу Рбз/ттс (Р ей) о2ос=3.6360А, о2ос=3.7826 А, ^ 1=2 Р 291 -1.63 -1.56 I52]
Но гпу Рб^/ттс ф4ы) о2ос=3.5773А, С2ос=5.6158 А, ~ г=2 АР 20 133 -0.48 -0.45 [!;] [5|]
Ей оцк, \тЪт (0\) о2ос=4.5820А, 1=2 АР 90 -0.9 [5,М,
Ег гпу Рбз/ттс (О4 ьь) 02ос=3.5588А, е2ос=5.5874 А, ’ 1=2 АР 20 84 -0 25 ь
35
Таблица 1.3- Влияние давления на температуры магнитного упорядочения
соединений марганца и хрома
Вещество Магнитное состояние То К ГмК ^Тс(н/<1Р, К/кбар Ссылки
МпО АР 122 0.3 П
МпАэ Р 313 -16 ^57.60
МпВ1 Р 633 -0.7 Г 60,6^1
МпР Р 291 -1.3 П
Мп$Ь Р 587 -(3.0-3.2) ГЧ
МпТе АР 310 -2.3 [ 1
МпИЬАб АР 188 0.71 [*,]
0<х<0.8 Р 580-230 -(3.0-6.0) п
(Со,.гМпх)2Р 0.5<х<0.7 АР 569-297 1.81-1.49 [ь;]
(РЬ,8п,Мп)Те Р 1,38-3,9 0,098-0,004 п
МпАи2 365 0.47-0.68 ^0]
Сг20з АР -1.6
СгАб А^ 177 -16 го.
СгАБо55Ьо5 АР 280 0.63 ГЛ1
СгБЬ АР 700 2.8 г'’'3]
СгЫ Р 347 -6.0 1-74,30
СгТе Р 347 -6.2 г75,7б,30-1
СгзТе4 Р 330 -6.0 г/7,/8|
РеСг284 Р 227 0.5 [А]
СиСг28е4.ЛВг* (0.2<х<1) Р 430-310 -(1.67-0.35) [ ]
МпБ АР 1.2 Гй,
Са/.д8глМпОз (0 <д: <0.5) АР 125-174 0.42-0.55 П
ЯМпОз (А=,8ш,Рг^а) АР 60-140 0.11-0.55 I"]
ТЪМп2 Р 45 2.0 О
GdMn2 АР 45 -2.2 ["]
36
Таблица 1.4. Влияние давления на температуры магнитного упорядочения
соединений кобальта и никеля
Вещество Магнитное состояние Тс< *ТС(^Р, К/кЬаг Ссылки
УСо3 Р 301 -3.8 п
У2Со7 Р 639 -3.3 п
УСо5 Р 977 -1.0 м
У2Со17 Р 1167 -0.3 п
вйСо2 Р 409 -2.7 гН
вбСоз Р 612 -3.0 Г]
Сб2СО; Р 775 -1.5 г,
Сс1Со5 Р 1008 -0.8 п
Сб2С0,7 Р 1209 +0.6 [ )
ТЬСо2 Р 256 -1.6 п
РгСоз Р 349 -1.8 г84]
Ег2Со17 Р 1186 +1.1 Г 1
Ш2СО|7 Р 1150 +0.7 п
ТЬСо5+х(0.1 <х<3.8) Р 427-1023 -(6.3-0.3) [84,
СоСгзБд Р 230 +0.5 п
ЬаСо5ТСи 5.5,(0.25<х<1) Р 25.7-829 -(0.14-1.3) О
ЬаСо5,М 5.5х (0.4<х<1.0) Р 190-830 -(2.6-1.1) [87,
СО|.дРеД1 *£0.5 ;с<0.5 Р 30-80 -(-0.3-0.08) о [89,
Ы1о94СГо06 Р 330 -0.4 О
N10 76 А1о 24 Р 72 -0.36 П
N^429 Р10 571 Р 23-54 -(1.5-0.7) ["]
Р*0 95М*005 Р 69 -0.9 Г
N’>0 5 Си0 5 Р 70 -0.1 Г1
Ni.Pt Р 20-600 -2.0 - +0.4 п
М-ЛЪ Р 40-600 -0.8- +0.4
Ni-Cu Р 10-600 -0.1-+0.4
М-Рб Р 20-600 -0.9-+0.6
^7бА124 N175 А125 N174 8А125*2 Р 72 43 30 -0.36 -0.5 -0.58 ■ Г]
ЛЛ^Пз, Л2№7м Л2№п (Л<5б/ГЬ,ОуШ,У,Но, Ег) Р 32-225 -(0.48- 0.08) г»,
^,о.гСгЛ2<х<11) Р 620-20 +0.4--0.1 1 1
АР 220 -7 п
37