Влияние высокого гидростатического давления на дислокационную структуру анизотропных кристаллов содержащих межкристаллитные границы

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1. Межкристаллитные границы
1.2. Анизотропия сжимаемости кристаллов в условиях высокого гидростатического давления .
1.3. Пластическая деформация анизотропных кристаллов
1.4. Влияние высокого гидростатического давления
на структуру материалов.
1.5. Постановка задачи .
Глава П. МАТЕРИАЛЫ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Объекты исследования. Обоснование их выбора. .
2.2. Выращивание кристаллов
2.3. Методика подготовки образцов
2.4. Определение разориентации бикристаллов
2.5. Исследование дислокационной структуры кристаллов .
2.6. Создание высокого гидростатического давления
и контроль за гидростатичностью среды
2.7. Метод определения критического напряжения размножения пирамидальных дислокаций при деформировании кристаллов в условиях атмосферного давления
Глава Ш. ПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ АНИЗОТРОПНЫХ БИКРИСТАЛЛОВ
ПОД ДЕЙСТВИИ ЕГД.
3.1.Эволюция дислокационной структуры бикристаллов
, , под действием ВГД
3.2. Факторы, определяющие величину критического давления, необходимого для размножения дислокаций ,
3.3. Исследование стадии интенсивного размножения дислокаций
3.4. Образование областей аккомодации у двойниковых границ под действием ВГД
Резюме
Глава 1У. ДВИЖЕНИЕ НЕКОГЕРЕНТНЫХ ДВОЙНИКОВЫХ ГРАНИЦ В ЦИНКЕ
ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВГД
4.1. Направление перемещения двойниковых границ . .
4.2. Движение некогерентных двойниковых границ под действием ВГД.
4.3. Факторы, определяющие величину критического давления, необходимого для движения двойниковых границ
4.4. Исследование стадии интенсивного движения границ
4.5. Условия наблюдения движения двойниковых границ .
Резюме
ПРИЛОЖЕНИЕ
Глава У. АНМИЗ НАПРЯЖЕННОГО СОСТОЯНИЯ ГИДРОСТАТИЧЕСКИ
СЖАТОГО АНИЗОТРОПНОГО БИКРИСТАЛЛА
5.1. Граничные условия в анизотропном бикристалле конечных размеров .
5.2. Граничные условия для модели бесконечного трехмерного бикристалла.
5.3. Определение тензора дополнительных напряжений в гидростатически сжатых кристалла цинка
5.4. Определение сдвиговых напряжений, действующих в системах скольжения . . .
Резюме.
Глава У1. ВЛИЯНИЕ ВГД НА ВЕЛИЧИНУ КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
РАЗМНОЖЕНИЯ ДИСЛОКАЦИИ.
6.1. Влияние плотности дислокаций на величину критического напряжения размножения дислокаций в Ъх яри
деформировании в условиях атмосферного давления .
6.2. Определение зависимости кпир раз для гидростатически сжатого кристалла . III
6.3. Влияние ВГД на величину критического напряжения размножения пирамидальных дислокаций
Резюме.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА