СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Оптические свойства и электронная структура
полупроводниковых дисилицидов переходных металлов
1.1. Эпитаксиальные соотношения и структура пленок i2 и 3i2 на
i
1.2. Электронная структура монокристаллов лисилииидов Сг и
1.3. Оптические свойства полупроводниковых дисилицидов Сг и Не
1.4. Моделирование диэлектрической функции полупроводниковых
материалов
1.5. Выводы
Глава 2. Методы исследования, аппаратура и методики
2.1. Методы исследования
2.1.1. Электронная ожеспектроскопия
2.1.2. Спектроскопия ХПЭЭ
2.1.3. Оптическая спектроскопия на просвет и отражение
2.1.4. Дифференциальная отражательная спектроскопия
2.1.5. Сканирующая зондовая микроскопия
2.2. Экспериментальная аппаратура
2.2.1. С верх высоко вакуумная установка VI
2.2.2. Оптические спектрофотометры 1 и VV1
2.2.3. I i оптический отражательный рефлектометр
2.2.4. Вакуумная приставка для регистрации спектров пропускания и
отражения в диапазоне температур 00 К
2.3 Методы роста пленок, расчетов и моделирования оптических функций.
2.3.1 Подготовка образцов и источников и схемы ростовых экспериментов
2.3.2 Режимы измерений, контроль чистоты поверхности образцов и
методики расчета данных ЭОС и ХПЭЭ
2.3.3 Расчет оптических функции тонких пленок в рамках двухслойной
модели
2.3.4 Расчет оптических функций тонких пленок из соотношений Крамерса
Кронига
Глава 3. Оптические свойства и электронная структура
эпитаксиальных пленок i на i
3.1. Первые межзонные переходы в эпитаксиальных пленках на
i
3.2. Влияние температуры на оптические функции кремния и
эпитаксиальных пленок i2 на i 1
3.3. Оптические функции эпитаксиальных пленок 1 в области энергии
0.6.2 эВ
3.4. Моделирование диэлектрической функции и электронная структура
эпитаксиальных пленок дисилицида хрома
3.5. Формирование и оптические свойства материалов с захороненными
островками i2 на i 1.
3.6. Выводы.
Глава 4. Оптические свойства и электронная структура
эпитаксиальных пленок 3i на 1
4.1. Первые межзонные переходы в тонких эпитаксиальных пленках 3i.
4.2. Оптические функции тонких эпитаксиальных пленок i2
4.3. Моделирование диэлектрической функции и электронная структура
эпитаксиальных пленок i2
4.4. Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922