СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Квантовые состояния электронов в тонкопленочных
металлических структурах
1.1 Причины и условия формирования квантовых состояний.
1.2 Особенности зонной структуры металлов Аи и . Квантовые состояния в системе ААи 1.
1.3 Резонансные квантовые состояния в системе А1АиАЕ.
1.4 Двойная квантовая яма в металлической системе А1АиААи. Эффект непересечения
энергетических уровней квантовых состоянии
1.5 Квантовые состояния в системе 1
1.6 Определение дисперсионной зависимости Ек0 из анализа фотоэлектронных спектров квантовых
состоянии.
1.7 Электронный интерферометр ФабриПеро.
1.8 Квантовые состояния в тонкопленочных магнитных системах.
1.9 Выводы.
Экспериментальная техника и методики эксперимента
2.1 Методика формирования эпитаксиальных слоев
металлов А, Аи, и Си на монокристалле У0
2.2 Фотоэлектронная спектроскопия.
2.2.1 Ультрафиолетовая фотоэлектронная
спектроскопия с угловым разрешением
УФЭСУР для построения дисперсии
валентной зоны двумерных структур
2.3 Дифракция медленных электронов
2.4 Экспериментальные установки.
Формирование квантовых состояний электронов в однослойных
металлических структурах , и
3.1 Исследование квантовых состояний в системе
.
3.2 Исследование квантовых состояний в системе
.
3.3 Исследование квантовых состояний в системе V.
3.4 Выводы
Квантовые состояния электронов в двухслойных металлических структурах 1 1 и 1 1, выращенных на
4.1 Формирование квантовых состояний в широкой энергетической области спектра. Эффект непересечения электронных энергетических уровней в системе 0
4.2 Исследование свойств потенциального барьера на МФГ .ii в системах А1Ми1 и
Аи , выращенных на У0
4.3 Выводы.
Глава 5
Теоретическое описание квантовых состояний электронов в двухслойной системе А1Аи1ЛУ0.
5.1 Модель потенциальной ямы.
Заключение.
Литература