Оглавление
Введение
I. Формализм матрицы рассеяния
1.1. Сверхпроводящий ток и матрицы рассеяния
1.2. Сверхпроводящие точечные контакты
1.2.1. X контакт.
1.2.2. I1I2 контакт
II. Электронный транспорт в сверхпроводящих точечных контактах
.1. Электронный транспорт в сверхпроводящем точечном контакте типа
.2. Критический ток контакта
.3. Андреевские уровни и сверхпроводящий ток в II контакте.
.4. Электронный транспорт в несимметричном II2 контакте.
.5. Изоморфизм между свойствами ЭШК контакта и сверхпроводящего одноэлектронного транзистора
III.7г 0 переход в БРБ контактах
IV.Эффект Джозефсона в БгХБр контактах
V. Магнитные осцилляции кондактанса в 5 системах
VI.Критическая температура БРбислоев
VI. 1. Постановка задачи.
VI. 2. Модель .
VI.3. Многомодовый метод
Ч.3.1. Одномодовое приближение.
VI.3.2. Многомодовый метод .
VI.4. Метод фундаментального решения
4.1. Результаты численных расчетов.
4.2. Сравнение с экспериментом.
П.4.3. Гсс
П.4.4. Сравнение многомодового и одномодового метода .
VI.4.5. Пространственная зависимость параметра порядка . .
VI.5. Обсуждение основных результатов
П.5.1. Интерпретация немонотонной зависимости Тсс .
П.5.2. ЭР сверхрешетки
VI.5.3. Комплексный коэффициент диффузии.
VI.5.4. Выводы.
VII.Проверка неравенств Белла в мезоскопических системах
Заключение
. Приложение
А.1. Соотношение между джозефсоновким током и свободной энергией
А.2. Уравнения Боголюбова.Де Жена.
А.З. Свойства матриц рассеяния.
А.4. Представление матрицы с помощью операторов Мллера . .
А.5. Связь между плотностью состояний и матрицей рассеяния . .
.6. Плотность состояний сверхпроводящего контакта типа X . .
. Приложение
.1. Влияние верхнего Андреевского уровня на Джозефсоновский ток.
. Приложение
.1. Аналитическая зависимость в случае тонкого слоя . .
С.1.1. Прозрачные границы.
С.1.2. Интерпретация времени т
С.2. Пределы применимости одномодового метода
С.2.1. Критическая температура
С.2.2. Критическая толщина.
С.З. Пространственная зависимость параметра порядка.
Литература
- Київ+380960830922