Ви є тут

Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур

Автор: 

Дьячков Сергей Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

150

Артикул:

1000301822

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
• Повышение качества технологической среды сверхвысоковакуумного оборудования с алмазоподобными покрытиями трибологического назначения
• Технология, фазовый состав, тонкая структура и свойства фотоситаллов и алюмооксидной керамики
• Исследование нарушений структуры кремния, возникающих при химико-механическом полировании
• Оптимизация активных элементов датчиков, использующих эффект гигантского комбинационного рассеяния
• Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
• Исследование процесса изготовления кантилевера с улучшенными характеристиками для сканирующей зондовой микроскопии
• Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники
• Синтез, структура и свойства кристаллов ZrO2, частично стабилизированных Y2O3
• Разработка и исследование процессов формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы