Ви є тут

Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур

Автор: 

Дьячков Сергей Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

150

Артикул:

1000301822

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
• Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
• Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов
• Сверхпроводниковые и сегнетоэлектрические перовскитные пленочные структуры в СВЧ микроэлектронике
• Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
• Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
• Синтез и исследование кристаллов AgClxBr1-x, AgClxBryI1-x-y, легированных редкими элементами, и получение световодов на их основе
• Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si
• Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами
• Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий