- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
202
Артикул:
233137 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение и исследование эпитаксиальных структур полупроводник-фианит
- Получение углеродных нанотрубок и армированных керамических композитов
- Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии
- Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях
- Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции
- Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня
- Влияние термообработки и легирования на свойства монокристаллического кремния
- Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники
- Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы
- Технология создания радиационно-окрашенных лазерных кристаллов LiF с агрегированными центрами окраски