- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование технологически значимых процессов, определяющих термомиграцию жидких включений в полупроводниковых кристаллах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2003
Кількість сторінок:
202
Артикул:
233137 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
- Гетероструктуры InSb_1-x Bi_x/InSb и GaSb_1-x Bi_x/GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
- Получение композиционных материалов с использованием фотохромных и светоизлучающих соединений и применение многослойных структур на их основе в устройствах хранения и обработки информации
- Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов
- Выращивание, электрические и магнитные свойства монокристаллов мультиферроидных фаз системы Li2CuO2-CuOx
- Фотопроводимость и плотность состояний в a-Si
- Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати
- Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов
- Исследование и разработка технологии создания микромодулей бесконтактной идентификации для электронных документов
- Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы