ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
1. Радиационное повреждение кристаллов Б ускоренными ионами
1.1. Взаимодействие ускоренных ионов с кристаллами кремния
1.1.1. Электронное торможение
1.1.2. Упругое рассеяние ионов.
1.1.3. Точечные радиационные дефекты.
1.1.4. Каскады смещений
1.1.5. Ионное легирование
1.2. Радиационно индуцированная аморфизация кристаллов З.
1.2.1. Критерии аморфизации
1.2.2. Механизмы аморфизации Б
1.3. Поведение ионноимплантированного гелия в кремнии
1.3.1. Причины интереса к имплантации Не в Б
1.3.2. Положение атомов Не в Б решетке
1.3.3. Взаимодействие атомов Не с радиационными дефектами
2. Экспериментальные методы
2.1. Выбор материала.
2.2. Приготовление объектов для ПЭМ.
2.2.1. Струйная электрополировка
2.2.2. Определение толщины объекта для ПЭМ.
2.2.3. Ионное распыление
2.3. Облучение
2.3.1. ЭЦРисточник
2.3.2. Облучение тонких пластинок Б.
2.3.3. Вычисление профилей радиационного повреждения и легирования
Спектры ПВЛ .
Профти повреждения и легирования в тонких кристаллах 5.
Параметр ионной имплантации гелия К СйСНе смещенийатом Не
2.4. Апробация методики продольного сечения
2.4.1. Экспрессный ПЭМметод продольного сечения.
2.4.2. Имплантация ионов углерода и азота
2.4.3. Имплантация аргона
2.4.4. Облучение К Не и Аг8 Не.
2.5. Вывод
3. Общая характеристика радиационного повреждения тонких кристаллов кремния нонами Не
3.1. Основные структурные изменения в тонких кристаллах З вдоль пробега
низкоэнергетических ачастиц.
3.2. Роль поверхности тонкого кристалла i как диффузионного стока для радиационных дефектов.
3.3. Поведение ионноимплантированных атомов Не в тонких кристаллах i
3.3.1. Наблюдение гелиевых пор в тонких образцах i. Эффект упорядочения гелиевых пор.
3.3.2. Количество гелия в порах.
3.3.3. Количество и состояние имплантированных атомов Не в тонких кристаллах i
3.4. Влияние толщины образца на профиль радиационного повреждения кремния ачастицами.
3.5. Влияние параметра облучения К на состояние атомов Не в i.
3.5.1. Эксперимент
3.5.2. Структурные изменения в планарном i кристалле после отжига
3.5.3. Анализ контраста ПЭМ изображений дефектов
3.5.4. Количество междоузельных атомов Не в i
3.6. Выводы
4. Аморфизация кристаллов i ионами Не
4.1. Условия аморфизации i ачастицами .
4.1.1. Параметры облучения, определяющие повреждение i.
4.1.2. Измерение аморфных слоев.
4.1.3. Диаграмма состояния i в результате облучения ачастицами
4.2. Вывод
5. Треки ачастиц в аморфном i, легированном гелием
5.1. Экспериментальные свидетельства образования треков низкоэнергетических ачастиц
5.2. Обсуждение
5.3. Вывод.
Приложение Радиус трека низкоэнергетической ачастицы в i.
6. Рекристаллизация аморфного кремния, легированного атомами Не
6.1. Огжиг слоев i Не
6.1.1. Эксперимент
6.1.2. Медленное 0.5с1 нагревание.
6.1.3. Ускоренное с1 нагревание.
6.2. Наноразмерные кристаллиты в i, легированном Не.
Заключение
Список литерату
- Киев+380960830922