Вы здесь

Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si(001)

Автор: 
Новиков Алексей Витальевич
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
2001
Количество страниц: 
136
Артикул:
1000330991
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

СОДЕРЖАНИЕ
Гетероструктуры на основе ЯЮе с самоорганизующимися наноостровками и квантовыми точками Обзор
Рост Ое1 самоорганизующихся островков методом МЛЭ зависимость параметров островков от количества осажденного Ое
2.1. Установка для молекулярнолучевой эпитаксии структур на основе ОеБ.
2.2. Методы подготовки подложек и характеризации структур
2.3. Рост Се самоорганизующихся наноостровков на подложках, подготовленных методом низкотемпературного термического травления
2.4. Особенности роста ОеБ1 самоорганизующихся островков на подложках 1, подготовленных методом высокотемпературного термического травления
2.5. Определение состава и упругих напряжений Ое1 самоорганизующихся наноосгровков
Роль диффузии атомов кремния в формировании наноостровков Ое1.
3.1. Рост Ое структур методом МЛЭ из газовых источников и методы характеризации структур
3.2. Зависимость размеров, формы и поверхностной плотности Ое8К1 островков от температуры роста
3.3. Связь между размерами и составом Ое1 островков
Эволюция Сге1 островков в процессе отжига
4.1 Методика эксперимента
4.2 Оствальдовскос созревание островков в процессе отжига
4.3 Влияние изменения состава на эволюцию Ое1 островков
ГЛАВА 5. Оптические свойства структур с ОеВ81
наноостровками
5.1 Методика эксперимента
5.2 Зависимость спектров ФЛ структур от количества
осажденного Ое
5.3 Эволюция ОеЯ самоорганизующихся островков в
процессе их заращивания кремнием
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ