Содержание
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Условия резонансного туннелирования
1.2. Взаимосвязь магнитной и электронной подсистем в ферромагнитных полупроводниках влияние ориентации спина
туннелирующего электрона на амплитуду прохождения электронной волны.
1.3. Расчт туннельной прозрачности наноразмерных гетеросистем Еи5РЬ5 методом матрицы рассеяния.
1.4. Влияние электронфононного, электронмагнопного
взаимодействия па резонансное туннелирование и расчт прозрачности барьеров методом туннельного
гамильтониана.
Глава 2. Упругое резонансное туннелирование в сверхрештке ЕиБРЬБ.
2.1. Общее выражение туннельного гамильтониана для определения прозрачности ферромагнитных барьеров в наносистеме ЕиЗРЬй
2.2. Расчт туннельной прозрачности барьера из ферромагнитного проводника
Глава 3. Неупругое резонансное туннелирование в ферромагнитных
барьерах сверхрешток ЕиБРЬБ.
3.1. Анализ процесса туннелирования в наноразмерных гетеросистемах ЕиЗРЬБ в приближении магнитного полярона
Стр.
3.2. Анализ влияния электронмагнонного взаимодействия на транспортные свойства, носителей тока в спинволновом
приближении.
Глава 4. Взаимодействие спинполяронов с магнонами в
ферромагнитных барьерах сверхрешток Еи8РЬ8
4.1. Фазовый сдвиг электронных волновых функций при резонансном туннелировании в нанослоях Еи8
4.2. Магнитополяронный сдвиг резонансных уровней в
ферромагнитных барьерах.
4.3. Анализ поведения наблюдаемых характеристик при туннелировании через барьерные слои Еи8.
Общие выводы
Литература
- Киев+380960830922