Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si

Содержание
Введение.
Глава 1. Гетероструктуры с самоформирующимися наноостровками ОеББ получение и свойства. Обзор литературы.
1.1. Кремниевая оптоэлектроника
1.2. Рост, морфология и состав самоформирующихся наноостровков Ое88
1.3. Электронная структура наноосгровков СеББ.
1.4. Оптические свойства структур с наноостровками Се88.
1.5. Электролюминесценция рп диодов с наноостровками СеБЗ
1.6. Фотоэлектрические свойства гетероструктур Се88.
1.7. Дислокационная фотолюминесценция и фоточувствительность 8 и
гетеросгруктур Се8
Глава 2 Методика эксперимента
2.1. Методика выращивания и характеризация гетеросгруктур Се88 с самоформирующимися наноостровками
2.2. Методика исследования морфологии поверхностных наноостровков Се88 методом атомносиловой микроскопии.
2.3. Методика фотоэлектрических измерений
Глава 3. Теория фотоЭДС на барьере полупроводникэлектролит в гетероструктурах Ое88.
3.1. Форма края спектра межзонной фоточувствительности в гетероструктурах ОсЗБ.
3.2. Влияние естественного разброса наноостровков веЗЗ по размерам иили составу на форму края спектра фоточувствительности.
3.3. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых ям и наноостровков
СеЗБ ,
Глава 4. Экспериментальные исследованная спектров ФПЭ гетероструктр с наноостровками Ое88
4.1. Зависимость спектров ФПЭ гетероструктур с наноостровками веЗЬ от параметров структур
4.2. Дислокационная фоточувствительность гетероструктур с
наноостровками Ое.
Глава 5. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция рчп диодов на основе гетероструктур Се1, выращенных методом СМЛЭ в среде ОеН4.
5.1. Морфология поверхностных наноостровков Ое1, выращенных методом СМЛЭ в среде СтеН4.
5.2. Спектроскопия ФПЭ гетероструктур с самоформирующимися наноостровками Се1, выращенных методом СМЛЭ в среде СеН.
5.3. Спектроскопия фотоЭДС и электролюминесценции ргп диодов с
наноостровками Се.
Заключение.
Список использованных источников