Вы здесь

Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией

Автор: 
Горшков Алексей Павлович
Тип работы: 
дис. канд. физ.-мат. наук
Год: 
2006
Артикул:
7299
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Список основных сокращений и обозначений.
1. НЕКОТОРЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР 1пСаА8СаА5 обзор литературы.
1.1. Методы диагностики энергетического спектра ГНС.
1.2. Квантоворазмерный эффект Штарка в ГКЯ.
1.3. Квантоворазмерный эффект Штарка в ГКТ.
1.4. Температурная зависимость фоточувствительности от КТ.
2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Модельные гетеронанострукгуры ОаАз1пСаА8 с КЯ и КТ.
2.2. Фотоэлектрическая спектроскопия на барьерах ГНС с металлом и электролитом.
2.3. Вольтамиерные и вольтфарадные характеристики барьеров
2.4. Особенности влияния электрического поля на спектры фоточувствительности ГНС.
3. КВАНТОВОРАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ ШТАРКА В ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
3.1. Квантоворазмерный эффект Штарка в ГКЯ в системе полупроводникэлектролит
3.2. Оптический модулятор на одной КЯ.
3.3. Квантоворазмерный эффект Штарка в ГКЯ при низких температурах
4. КВАНТОВОРАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ ШТАРКА И ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ В ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
4.1. Квантоворазмерный эффект Штарка на барьерах ГКТ с металлом и электролитом. Дипольный момент КТ
4.2. Влияние параметров тонкого двойного покровного слоя СаАБ 1пСа.хА5 4 на дипольный момент КТ
4.3. Температурная зависимость фотоэлектрических спектров в ГКЯ и ГКТ СаА1пСаА5.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА