ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Некоторые обозначения.
ГЛАВА 1. Изменение работы выхода полупроводниковых подложек при адсорбции металлических атомов
1.1. Работа выхода как основная макроскопическая характеристика адсорбционной системы.
1.2. Взаимодействие атомов в адсорбированных слоях и
его влияние на работу выхода
1.2. Кристаллографическая и электронная структуры чистых граней кремния, арсенида галлия и диоксида титана
1.4. Постановка задачи.
ГЛАВА 2. Адсорбция атомов щелочных металлов на кремнии и арсениде галлия
2.1. Формулировка модели.
2.2. Адсорбция У, , К, ЛЬ и Св на Б 0
2.3. Адсорбция Ся на ваАв 0 и К, Л.Ь и Сэ на ОаАв0
Краткие выводы.
ГЛАВА 3. Адсорбция бария и редкоземельных атомов на кремнии и ванадия на диоксиде титана.
3.1. Адсорбция Ва на 81
3.2. Адсорбция 8ш, Ей и УЪ на 81
3.3. Адсорбция V на ТЮ20.
Краткие выводы.
ГЛАВА 4. Зависимость зарядов, сдвигов квазиуровней адатомов и времен жизни электрона на адатом е от степени покрытия. Энергетические барьеры для переходов электронов с адатом а в
подложку и на соседний адатом обзор результатов Гл. 2 и 3
4.1. Зависимость заряда ад атом а от степени покрытия
4.2. Зависимости сдвигов квазиуровней адатомов и времен жизни электрона на адатоме от степени покрытия
4.3. Оценки высоты энергетических барьеров для перехода электрона с адатом а в подложку и
на соседний адатом
ГЛАВА 5. Некоторые вопросы физики субмонослойных металлических покрытий на полупроводниковых
субстратах
5.1. Об условиях появления минимума на зависимости
работы выхода от степени покрытия.
5.2 Влияние температуры на адсорбцию редкоземельных атомов на поверхностиi1
5.3 Связь электронного состояния субмонослойной металлической пленки с высотой барьера Шоттки и величиной изгиба зон
5.4. Заряд изолированного адатома в рамках модели связывающих орбиталей Харрисона.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
Список литературы
- Киев+380960830922