Содержание
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1. Сверхизлучение в двухуровневых системах
1.2. Особенности сверхизлучения в полупроводниках
Глава 2. Исследование особенностей спектральных характеристик излучения низкоразмерных гетероструктур
2.1. Методы исследования сверхкоротких лазерных импульсов
2.2. Формфактор однородного и неоднородого уширения
2.3. Изготовление низкоразмерных гетероструктур, методика подготовки образцов
2.4. Методика проведения мощностных и спектральных исследований
2.5. Особенности спектров излучения низкоразмерных гетероструктур
Глава 3. Динамические характеристики излучения низкоразмерных
гетероструктур
3.1. Методика измерения временной когерентности
3.2. Результаты измерений временной когерентности спонтанного излучения лазерной гетероструктуры на квантовой яме Глава 4. Феноменологическая модель спонтанного возникновения в активной области гетероструктуры вблизи порога лазерной генерации
сверхизлучающих доменов макродиполей
4.1. Образование доменов с повышенной концентрацией
неравновесных носителей заряда в активной области гетсрострукутры на
квантовой яме
4.2. Вычисление профиля концентрации неравновесных носителей в
4.3. Модель возникновения сверхизлучения в полупроводниковых
гетероструктурах
Заключение
Литература
- Киев+380960830922