- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340672 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким ε, полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
- Системы считывания для многоэлементных ИК ФПУ третьего поколения
- Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5
- Объектно-ориентированное сканирование для зондовой микроскопии и нанотехнологии
- Теплофизические свойства микросистем на основе структур карбид кремния на изоляторе
- Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
- Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем
- Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками
- Моделирование и схемотехника СВЧ-транзисторного генератора с невзаимным элементом в цепи обратной связи
- Исследование и разработка микросхем для компенсации температурной нестабильности выходной частоты кварцевых генераторов