- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340672 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Термически- и радиационно-стойкие контакты металл-карбид кремния для приборов экстремальной электроники
- Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства
- Исследование и создание гибридно-монолитных СВЧ - генераторов и преобразователей частоты на универсальных активных GaAs МИС в диапазоне частот 1...18 ГГЦ
- Исследование и разработка методов и средств проектирования микросистем высокой надежности
- Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля
- Разработка методов проектирования и моделирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур
- Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов
- Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
- Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP
- Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем