- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340672 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi
- Электронный транспорт и нелинейные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах и сверхрешетках
- Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов
- Исследование кинетики и механизмов взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью LiNbO3
- Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
- СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
- Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2: ZrO2 и SnO2 с добавлением многостенных углеродных нанотрубок
- Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур
- Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур
- Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs