ОГЛАВЛЕНИЕ
Список используемых сокращений
Введение
1. Актуальность темы
2. Цель и задачи работы.
3. Научная новизна работы.
4. Научная и практическая значимость работы.
5. Основные положения, выносимые на защиту.
6. Достоверность научных положений, результатов и выводов
7. Личный вклад соискателя.
8. Объем и структура работы
9. Апробация работы
. Публикации по теме диссертации.
Глава 1. Обзор научнотехнической литературы.
Глава 2. Методы изготовления образцов и исследования их свойств
2.1 Молекулярнолучевая эпитаксия
2.2 Дифракция отраженных быстрых электронов
2.3 Установка для измерения эффекта Холла
2.4 Установка измерения спектров фотолюминесценции.
2.5 Установка измерения спектров фотоотражения.
2.6 Измерение низкотемпературного мгнетогранспорта.
Глава 3. Расчетное моделирование зонной структуры образцов.
3.1 Параметры материалов.
3.2 Разрыв дна зоны проводимости на гетеропереходе.
3.3 Гетеропереход .vi.x
3.4 Численный расчет зонной диаграммы гетероструктур
3.5 Примеры расчета зонной диаграммы гетероструктур.
Глава 4. Электронные и оптические свойства дельталегированных II
гетероструктур с КЯ вблизи поверхности.
4.1 Физические принципы создания РНЕМГгетсроструктуры.
4.2 Взаимосвязь параметров гетероструктуры с характеристиками транзистора, созданного на базе гетсроструктуры.
4.3 Встроенное электрическое поле гетсроструктуры
4.4 Расчет зонной структуры РНЕМГ образцов с КЯ вблизи поверхности.
4.5 Расчет компенсированного легирования.
4.6 Образцы и методики измерений.
4.7 Результаты измерений и их обсуждение.
Глава 5. Рассеяние и подвижность электронов в КЯ
IivI,,i..vv с комбинированным легированием.
5.1 Создание высокой электронной плотности.
5.2 Увеличение пробивного напряжения.
5.3 Рассеяние электронов в КЯ в случае многоподзонной проводимости.
5.4 Расчет зонной структуры исследуемых образцов.
5.5 Расчет подвижности электронов
5.6 Приготовление образцов и методики измерений
5.7 Результаты измерений и их обсуждение.
6. Выводы.
7. Заключение.
8. Список литературы
Список используемых сокращений
МЛЭ молекулярнолучевая эпитаксия СВЧ сверхвысокая частота
ИЕМТ i ii i транзисторная гетероструктура с высокой
подвижностью электронов
ДЭГдвумерный электронный газ
КЯ квантовая яма
ШдГ эффект Шубниковаде Гааза
ФЛ фотолюминесценция
ФО фотоотражение
ВФ волновые функции электронов в квантовой яме
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922