Ви є тут

Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур

Автор: 

Дроздовская Людмила Михайловна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1997

Артикул:

1000197288

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
• Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур
• Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз
• Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии
• Разработка конструктивно-технологических методов роста углеродных наноструктур для автоэмиссионных применений
• Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
• Разработка процессов формирования диэлектрических пленок и микроэлектронных систем для интегральной электроники
• Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений
• Импедансные фильтры на поверхностных акустических волнах с веерными преобразователями
• Моделирование, синтез и реализация мощных широкополосных СВЧ транзисторных усилителей в существенно нелинейном режиме