- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1997
Артикул:
1000197288 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
- Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур
- Разработка и исследование эмиссионной среды для твердотельного автоэмиссионного диода на основе гетероструктуры кремний/алмаз
- Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии
- Разработка конструктивно-технологических методов роста углеродных наноструктур для автоэмиссионных применений
- Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
- Разработка процессов формирования диэлектрических пленок и микроэлектронных систем для интегральной электроники
- Исследование тонкопленочных нанокомпозитов сегнетоэлектрик-полупроводник для оптоэлектронных применений
- Импедансные фильтры на поверхностных акустических волнах с веерными преобразователями
- Моделирование, синтез и реализация мощных широкополосных СВЧ транзисторных усилителей в существенно нелинейном режиме