Ви є тут

Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования

Автор: 

Ивин Владимир Владимирович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

146

Артикул:

1000306705

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Формирование и диагностика нанометровых многослойных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности
• Разработка методов проектирования элементов МОЭМС, изготавливаемых по технологии поверхностной микрообработки
• Комплексные исследования электрофизических свойств термически окисленных слоев кремния в производстве полупроводниковых приборов с проектной нормой 0,5-0,8 мкм
• Новые механизмы возникновения магнито-управляемого отрицательного дифференциального сопротивления в полупроводниковых приборах и создание генераторов с регулируемыми характеристиками
• Исследование закономерностей структурного роста и люминесцентных свойств слоев пористого кремния
• Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений
• Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов
• Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
• Конструирование ПЗС-структур с повышенной фоточувствительностью на основе объемного моделирования распределений потенциала и заряда
• Моделирование электрических характеристик СВЧ-генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе